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英特爾實現3D先進封裝技術的大規模量產

作者:時間:2024-01-25來源:電子產品世界收藏

宣布已實現基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生產,其中包括突破性的3D封裝技術Foveros,該技術為多種芯片的組合提供了靈活的選擇,帶來更佳的功耗、性能和成本優化。

本文引用地址:http://www.7menf.com/article/202401/455107.htm

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這一技術是在最新完成升級的美國新墨西哥州Fab 9投產的。英特爾公司執行副總裁兼首席全球運營官Keyvan Esfarjani表示:先進封裝技術讓英特爾脫穎而出,幫助我們的客戶在芯片產品的性能、尺寸,以及設計應用的靈活性方面獲得競爭優勢。

 

這一里程碑式的進展還將推動英特爾下一階段的先進封裝技術創新。隨著整個半導體行業進入在單個封裝中集成多個芯粒chiplets)的異構時代,英特爾的FoverosEMIB(嵌入式多芯片互連橋接)等先進封裝技術提供了速度更快、成本更低的路徑,以實現在單個封裝中集成一萬億個晶體管,并在2030年后繼續推進摩爾定律。

 

英特爾的3D先進封裝技術Foveros是業界領先的解決方案,在處理器的制造過程中,能夠以垂直而非水平方式堆疊計算模塊。此外,Foveros讓英特爾及其代工客戶能夠集成不同的計算芯片,優化成本和能效。

 

英特爾將繼續致力于推進技術創新,擴大業務規模,滿足不斷增長的半導體需求。



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